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1.2
(continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 0.25 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
0.6
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
1
is Limited by R DS(on)
100 μ s
0.5
10
10
0
-1
DC
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
0.4
0.3
0.2
※ Notes :
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-2
o
o
3. Single Pulse
0.1
10
10
10
10
10
-3
0
1
2
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
2
D = 0 .5
10
1
0 .2
0 .1
0 .0 5
P DM
10
0
0 .0 2
0 .0 1
s i n g l e p u ls e
※ N o te s :
t 1
t 2
1 . Z θ J L (t) = 5 0 ℃ / W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T L = P D M * Z θ J L (t)
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t 1 , R e c t a n g u l a r P u l s e D u r a t i o n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SSN1N45B Rev. C 0
4
www.fairchildsemi.com
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